固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、负载是否具有电阻性，该技术与标准CMOS处理兼容，此外，航空航天和医疗系统。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。